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參數(shù)資料
| 型號： | 3SK309 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | GaAs N Channel Dual Gate MES FET UHF RF Amplifier |
| 中文描述： | 砷化鎵?頻道雙柵場效應晶體管超高頻射頻放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | 3SK309 |
3SK309
GaAs N Channel Dual Gate MES FET
UHF RF Amplifier
ADE-208-472 A
2nd. Edition
Features
Capable of low voltage operation (V
DS
= 1.5 to 3 V)
Excellent low noise characteristics (NF = 1.25 dB typ. at f = 900 MHz)
High power gain (PG = 21.0 dB typ. at f = 900 MHz)
Outline
1. Source
2. Gate1
3. Gate2
4. Drain
CMPAK–4
1
4
3
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3SK317 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier |
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| 3SK321 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 3SK317ZR-TL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier |
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