參數(shù)資料
型號： 2SK741
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 39K
代理商： 2SK741
2SK741
10
8
6
4
2
0
4
8
12
16
20
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
5 A
2 A
I
D
= 10 A
PulseTest
D
V
D
5
2
1.0
0.5
0.05
1.0
2
5
10
50
Drain Current I
D
(A)
0.5
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
20
0.2
0.1
15 V
V
GS
= 10 V
Pulse Test
S
R
D
)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature T
C
(°C)
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
V
= 10 V
Pulse Test
S
R
D
)
I
D
= 2 A
5 A
10 A
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
50
20
10
5
0.5
0.2
0.5
1.0
5
10
20
1.0
2
2
Drain Current I
D
(A)
F
y
–25°C
Ta = 25°C
75°C
V
= 10 V
Pulse Test
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK771 CAPACITOR, 15000UF 25V CAPACITOR, 15000UF 25V; CAPACITANCE:15000UF; VOLTAGE RATING, DC:25V; CAPACITOR DIELECTRIC TYPE:ALUMINIUM ELECTROLYTIC; SERIES:LLS; TEMP, OP. MAX:85(DEGREE C); TEMP, OP. MIN:-40(DEGREE C); TOLERANCE, :20%; RoHS Compliant: Yes
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