參數(shù)資料
型號： 2SK3761
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOS?)
中文描述： 東芝場效應晶體管硅?頻道馬鞍山類型（餅馬鞍山？）
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 89K
代理商： 2SK3761
2SK3761
2004-02-26
4
80
40
0
0
40
80
120
20
60
160
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
CAPACITANCE – V
DS
C
D
P
D
CASE TEMPERATURE Tc (°C)
P
D
– Tc
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
I
DR
– V
DS
D
D
(
G
V
t
CASE TEMPERATURE Tc (°C)
V
th
– Tc
CASE TEMPERATURE Tc (°C)
R
DS (ON)
– Tc
D
R
D
)
G
G
TOTAL GATE CHARGE Q
g
(nC)
DYNAMIC INPUT / OUTPUT
CHARACTERISTICS
D
D
160
COMMON SOURCE
PULSE TEST
40
0
40
80
120
80
5
4
3
2
1
0
ID
=
6A
1.5
3
VGS
=
10 V
COMMON SOURCE
VGS
=
0 V
f
=
1 MHz
Tc
=
25°C
1
0.1
10
100
1000
10000
1
3
5
10
30 50
100
Ciss
Coss
Crss
COMMON SOURCE
VDS
=
10 V
ID
=
1 mA
PULSE TEST
0
80
1
2
3
5
40
0
40
80
120
160
4
COMMON SOURCE
Tc
=
25°C
PULSE TEST
0
0.1
0.4
0.3
0.5
1
3
5
10
0.8
1.2
1
VGS
=
0,
1 V
10
3
1
5
0.2
0.6
COMMON SOURCE
ID
=
6 A
Tc
=
25°C
PULSE TEST
0
10
20
VDD
=
100 V
VDS
VGS
400
200
30
50
500
200
0
100
300
400
40
20
8
0
4
12
16
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PDF描述
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