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相關(guān)PDF資料	PDF描述
2SK370BL	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 6MA I(DSS) \| SPAK
2SK370GR	Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK370V	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 10MA I(DSS) \| SPAK
2SK371BL	Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK371GR	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 5MA I(DSS) \| SPAK

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2SK370BL

TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 6MA I(DSS) | SPAK

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Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset

2SK370V

TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 10MA I(DSS) | SPAK

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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 5MA I(DSS) | SPAK

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
2SK369-V(F)	制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans JFET N-CH 30mA Si 3-Pin TO-92
2SK3700(F)	功能描述:MOSFET N-Ch 700V PWR FET ID 5A PD 150W 1150pF RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SK3702	功能描述:MOSFET N-CH 60V 18A TO-220ML RoHS:是類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3703	功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SK3703-1E	功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否制造商:NXP Semiconductors 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:30 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:180 mA 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:4.5 Ohms 配置: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-416 封裝:Reel

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)

參數(shù)描述

2SK369-V(F)

制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans JFET N-CH 30mA Si 3-Pin TO-92

2SK3700(F)

功能描述:MOSFET N-Ch 700V PWR FET ID 5A PD 150W 1150pF RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

2SK3702

功能描述:MOSFET N-CH 60V 18A TO-220ML RoHS:是類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件

2SK3703

功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

2SK3703-1E

功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否制造商:NXP Semiconductors 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:30 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:180 mA 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:4.5 Ohms 配置: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-416 封裝:Reel

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型號：	2SK369V
英文描述：	Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述：	晶體管\|場效應(yīng)\| N溝道\| 14MA我（直）\|到92
文件頁數(shù)：	2/4頁
文件大?。?/td>	67K
代理商：	2SK369V

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