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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3532-01MR |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 中文描述： | 6 A, 900 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 114K |
| 代理商： | 2SK3532-01MR |
2
Characteristics
2SK3532-01MR
FUJI POWER MOSFET
0
5
10
VDS [V]
15
20
0
2
4
6
8
20V
7.0V
10V
8.0V
6.5V
6.0V
I
Typical Output Characteristics
ID=f(VDS):80
μ
s pulse test,Tch=25
°
C
VGS=5.5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
1
10
I
VGS[V]
Typical Transfer Characteristic
ID=f(VGS):80
μ
s pulse test,VDS=25V,Tch=25
°
C
0.1
1
10
1
10
g
ID [A]
Typical Transconductance
gfs=f(ID):80
μ
s pulse test,VDS=25V,Tch=25
°
C
0
2
4
6
8
10
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
7.0V
8.0V
6.5V
R
ID [A]
Typical Drain-Source on-state Resistance
RDS(on)=f(ID):80
μ
s pulse test,Tch=25
°
C
6.0V
VGS=5.5V
10V
20V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
7
R
Tch [
°
C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=3A,VGS=10V
0
25
50
75
100
125
150
0
20
40
60
80
100
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
P
Tc [
°
C]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3538 | Switching Regulator, DC-DC Converter Applications |
| 2SK3539 | Silicon N-channel MOSFET |
| 2SK3543 | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSV) |
| 2SK3546J | Silicon N-Channel MOSFET |
| 2SK3547 | Silicon n-channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3532-01MRSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3533-01 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 900V;RDS(ON) 1.54 Ohms;ID +/-7A;TO-220AB;PD 225W;VGS +/- |
| 2SK3533-01SC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3534-01MRSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3537-01MRSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
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