參數(shù)資料
型號： 2SK3399
元件分類： JFETs
英文描述： 10 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： LEAD FREE, 2-10S1B, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 271K
代理商： 2SK3399
2SK3399
2006-11-08
5
rth – tw
15 V
Test circuit
Wave form
IAR
BVDSS
VDD
VDS
RG = 25
VDD = 90 V, L = 6.36 mH
=
VDD
BVDSS
2
I
L
2
1
ΕAS
Dr
ai
n
cu
rr
en
t
I
D
(A)
Channel temperature (initial) Tch (°C)
A
val
a
nc
he
en
er
gy
E
AS
(mJ
)
Pulse width tw (s)
N
or
m
aliz
ed
t
ra
n
sie
nt
t
he
rm
al
im
pe
da
nc
e
r th
(t)
/R
th
(c
h-c
)
Drain-source voltage VDS (V)
Safe operating area
EAS – Tch
100
200
300
50
100
0
400
25
75
150
125
0.01
10
0.1
1
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
T
PDM
t
Duty
= t/T
Rth (ch-c) = 1.25°C/W
Duty
= 0.5
0.2
0.1
Single pulse
0.05
0.02
0.01
0.001
0.003
0.005
0.03
0.05
0.3
0.5
3
5
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1000
* Single nonrepetitive pulse
Tc
= 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
100
s *
1 ms *
VDSS max
0.03
0.05
0.3
0.5
3
5
30
50
30
3
300
ID max (pulse) *
ID max
(continuous)
DC operation
Tc
= 25°C
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PDF描述
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