參數(shù)資料
型號: 2SK3390
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier
中文描述: 硅?通道場效應晶體管超高頻功率放大器
文件頁數(shù): 4/7頁
文件大小: 78K
代理商: 2SK3390
2SK3390
Rev.0, Aug. 2001, page 4 of 7
0.1
0.03
0.3
10
Drain to Source Saturatioin Voltage vs.
Drain Current
Input Capacitance vs.
Gate to Source Voltage
29
25
24-10
- 6
- 2
2
6
10
V = 0
f = 1 MHz
26
27
28
V = 10 V
Pulse Test
1
3
0.01
0.03
0.1
0.3
3
10
1
V
D
D
Drain Current I (A)
I
Gate to Source Voltage V (V)
0.01
0.001
0.003
3.6
3.2
2.8
2.4
2.0
1.6
- 25
Ambient Temperature Ta (
°
C)
G
Gate to Source Cutoff Voltage vs.
Ambient Temperature
G
0
25
50
75
100
125
V = 13.7 V
10 mA
V
I
D
= 0.1 mA
1 mA
75
°
C
25
°
C
Tc = - 25
°
C
Output Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
1
3
10
30
1
0.1
10
100
30
3
O
Drain to Source Voltage V (V)
0.3
V = 0
f = 1 MHz
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