參數(shù)資料
型號： 2SK3390
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier
中文描述： 硅?通道場效應(yīng)晶體管超高頻功率放大器
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大小： 78K
代理商： 2SK3390
2SK3390
Rev.0, Aug. 2001, page 2 of 7
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
Pch
17
V
Gate to source voltage
±10
V
Drain current
1
A
Drain peak current
Note1
2.5
A
Channel dissipation
Note2
20
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
1. PW
<
1sec, Tch
<
150 °C
2. Value at Tc = 25°C
Tstg
–45 to +150
°C
Note:
Electrical Characteristics
(Tc = 25°C)
Item
Symbol Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Zero gate voltage drain current
I
DSS
I
GSS
V
GS(off)
Ciss
—
—
10
μ
A
μ
A
V
V
DS
= 13.7 V, V
GS
= 0
V
GS
= ±10V, V
DS
= 0
I
D
= 1mA, V
DS
= 13.7V
V
GS
= 5V, V
DS
= 0, f = 1MHz
V
DS
= 13.7V, V
GS
= 0, f = 1MHz
V
= 13.7V, I
= 0.25A
f = 836 MHz, Pin = 126 mW
Gate to source leak current
—
—
±5
Gate to source cutoff voltage
2.2
—
3.0
Input capacitance
—
27.5
—
pF
Output capacitance
Coss
—
10.5
—
pF
Output Power
Pout
6.31
—
—
W
Added Efficiency
η
add
60
—
—
%
V
= 13.7V, I
= 0.25A
f = 836 MHz, Pin = 126 mW
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