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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3348 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 105K |
| 代理商： | 2SK3348 |
2SK3348
4
S
R
D
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
Tc = –25 °C
VDS
Pulse Test
0
2
4
6
8
10
Gate to Source Voltage VGS
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
V
D
D
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Pulse Test
ID
10 mA
50 mA
5
4
3
2
1
–40
0
40
80
120
160
0
V =2.5V
10m A,50m A,100mA
Case Temperature Tc ( °C)
S
(
D
R
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
I = -50m A
D
4V
-10m A
Pulse Test
100m A
Drain Current ID
0.01
10
0.1
0.1
1.0
1.0
VGS
4 V
Pulse Test
0.2
0.5
2
5
0.02
0.05
0.2
0.5
Drain Current ID
F
f
0.01
0.1
1.0
1.0
0.1
0.01
0.001
25 °C
75°C
0.02
0.05
0.2
0.5
0.002
0.005
0.02
0.05
0.2
0.5
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PDF描述 |
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