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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3348 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/7頁(yè) |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | 2SK3348 |
2SK3348
3
Main Characteristics
0
2
4
6
8
10
Drain to Source Voltage VDS
D
D
10 V
1.0
3 V
VGS
5 V
Pulse Test
1 V
2 V
6 V
8 V
0.8
0.6
0.4
0.2
Typical Output Characteristics
D
D
Typical Transfer Characteristics
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1
2
3
4
5
Tc = –25 °C
25 °C
75 °C
VDS
Pulse Test
0.1
1.0
10
50
5
1.0
0.5
0.1
0.01
0.005
0.001
0.0005
10 μs
100 μs
1 ms
PW = 10 ms
(1 shot)
Ta = 25 °C
0.05
Drain to Source Voltage DS
Maximum Safe Operation Area
Operation in this area
is limited by RDS(on)
D
D
Value on the alumina ceramic boad.(12.5x20x0.7mm)
400
300
200
0
50
100
150
200
C
Ambient Temperature Ta ( °C)
*Value on the alumina ceramic boad.(12.5x20x0.7mm)
Power vs. Temperature Derating
100
0.002
0.02
0.05
0.2
2
0.2
0.5
2
5
20
Gate to Source Voltage
VGS(V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3349 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
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| 2SK3359-Z | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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