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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3326 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | 2SK3326 |
Data Sheet D14204EJ1V0DS00
7
2SK3326
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
Isolated TO-220(MP-45F)
Remark
Strong electric field, when exposed to this device, cause destruction of the gate oxide and ultimately
degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as
possible, and quickly dissipate it once, when it has occurred.
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Drain
1. Gate
2. Drain
3. Source
10.0±0.3
3.2±0.2
2.7±0.2
1.3±0.2
1.5±0.2
0.7±0.1
2.54
2.54
1 2 3
4
1
1
1
3
4.5±0.2
2.5±0.1
0.65±0.1
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