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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3298 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 工業(yè)級(jí) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | 2SK3298 |
Data Sheet D14059EJ1V0DS00
4
2SK3298
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
50
150
R
D
2.0
0
–50
0
100
T
ch
- Channel Temperature -
C
3.0
1.0
V
GS
= 10 V
Pulsed
I
D
= 7.5 A
4.0 A
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
I
S
1.5
1
0.5
0
0
100
10
1.0
0.1
Pulsed
0 V
V
GS
= 10 V
1000
100
10
0.1
1
10000
1000
100
10
1
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
C
i
,
o
,
r
V
= 0 V
f = 1MHz
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
rss
C
oss
C
iss
V
DD
= 150 V
V
GS(on)
= 10 V
R
G
SWITCHING CHARACTERISTICS
0.1
1
10
100
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
100
10
1
0.1
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
1
10
100
t
r
μ
s
0.1
I
D
- Drain Current - A
10
1
0.1
0.01
di/dt = 50 A/
μ
s
V
GS
= 0 V
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
0
20
10
30
40
800
600
400
200
0
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
V
G
16
14
12
10
8
6
4
2
0
I
D
= 7.5 A
V
GS
V
DD
= 450 V
300 V
150 V
V
DS
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