參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3287
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching
中文描述： 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速開關(guān)
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 40K
代理商： 2SK3287
2SK3287
4
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
4
6
8
10
5
4
3
2
1
–40
0
40
80
120
160
0
I = 300mA
150m A
Pulse Test
Pulse Test
I = 150m A
V = 4 V
10 V
0.1
0.2
0.5
1.0
Gate to Source Voltage V (V)
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
V
D
D
0.1
0.5
0.2
50
20
10
2
5
1.0
0.5
1.0
V = 4V
10 V
Pulse Test
Drain Current I (A)
S
(
D
R
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
Case Temperature Tc ( °C)
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
Drain Current I (A)
Forwaed Transfer Admittance
vs. Drain Current
|
F
50m A
50mA
50mA,150mA, 300m A
5
2
1.0
0.2
0.5
0.1
0.05
V = 10 V
Pulse Test
Tc = –25 °C
25 °C
75 °C
S
(
D
R
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PDF描述
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2SK3292 Ultrahigh-Speed Switching Applications
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