參數(shù)資料
型號： 2SK3287
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching
中文描述： 硅?通道場效應(yīng)晶體管高速開關(guān)
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 40K
代理商： 2SK3287
2SK3287
3
Main Characteristics
0.1
Drain to Source Voltage V (V)
1.0
10
50
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
4
6
8
10
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
4
6
8
10
800
600
400
200
0
50
100
150
200
V = 3V
Tc = –25 °C
75 °C
Pulse Test
V = 10 V
Pulse Test
5
1.0
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
0.0005
PW=10ms
6 V
4 V
8 V 7 V
25 °C
Maximum Safe Operation Area
D
D
Typical Output Characteristics
Drain to Source Voltage V (V)
Gate to Source Voltage V (V)
Typical Transfer Characteristics
Operation in this area
is limited by RDS(on)
C
Ambient Temperature Ta ( °C)
power vs. Temperature Derating
D
D
D
D
5 V
10 μs
100 μs
1 ms
*Value on the alumina ceramic boad.(12.5x20x0.7mm)
0.002
0.02
0.2
0.5
2
0.05
0.2
0.5
2
5
20
Ta=25 °C
Value on the alumina ceramic boad.(12.5x20x0.7mm)
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