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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3229 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道場效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 26K |
| 代理商： | 2SK3229 |
2SK3229
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
1
I
DR
I
AP
*
3
E
AR
*
3
Pch*
2
80
V
Gate to source voltage
±
20
V
Drain current
60
A
Drain peak current
240
A
Body-drain diode reverse drain current
60
A
Avalanche current
50
A
Avalanche energy
181
mJ
Channel dissipation
35
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
2. Value at Tc = 25
°
C
3. Value at Tch = 25
°
C, Rg
≥
50
Tstg
–55 to +150
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PDF描述 |
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