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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3153 |
| 廠(chǎng)商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/9頁(yè) |
| 文件大小： | 143K |
| 代理商： | 2SK3153 |
2SK3153
5
0.1
0.3
1
3
10
30
0
10
20
30
40
50
100
1000
300
200
160
120
80
40
0
20
16
12
8
4
20
40
60
80
100
0
100
10
20
2
1
0.1 0.2
2
10
1000
100
300
30
10
30
20
1
Reverse Drain Current I (A)
R
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Gate Charge Qg (nc)
D
D
G
G
Dynamic Input Characteristics
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
10
I = 15 A
V
GS
0.5
5
50
5
50
3000
V
DS
V = 120 V
50 V
25 V
di / dt = 50 A / μs
V = 0, Ta = 25 °C
10000
V = 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
V = 120 V
50 V
25 V
200
500
1000
r
d(on)
t
d(off)
t
tf
V = 10 V, V = 30 V
PW = 5 μs, duty < 1 %
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3155 | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK3156 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK315 | FM Tuner Applications N-Channel Junction Silicon FET(FM調(diào)諧應(yīng)用的N溝道結(jié)型硅場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 2SK3160 | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SK3153-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3154 | 制造商:HITACHI 制造商全稱(chēng):Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3154-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3155 | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3155-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Box |
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