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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3111-S |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 工業(yè)級(jí) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 75K |
| 代理商： | 2SK3111-S |
Data Sheet D13334EJ1V0DS00
3
2SK3111
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 °C)
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
10
20
30
50
10
0
Pulsed
20
30
40
60
70
0
V
GS
= 10 V
V
GS
= 30 V
0.01
0
0.1
1
10
5
10
0.001
100
V
= 10 V
Pulsed
T
ch
= 125
C
75
C
25
C
-
25
C
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
I
D
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature - C
V
G
V
DS
=
10
V
I
D
=
1
mA
50
0
150
50
2.0
2.5
100
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
f
|
I
D
- Drain Current - A
1
1
10
10
100
V
= 10 V
Pulsed
T
ch
=
25
C
25 C
75 C
125 C
0.01
0.1
100
0.01
0.1
Pulsed
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
500
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
0
8
100
10
16
300
200
400
0
20
2
4
6
12
14
18
I
D
= 20 A
10 A
4 A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
R
D
600
400
300
100
10
100
0.1
0
1
Pulsed
V
GS
= 30 V
V
GS
= 10 V
200
500
#
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3112-S | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3112-ZJ | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3112 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3113B | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2SK3113B(1)-S27-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3111-ZJ | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3112 | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:MOS Field Effect Transistor |
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| 2SK3112S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-262AA |
| 2SK3112-S | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
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