參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2851
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
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代理商： 2SK2851
2SK2851
5
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
4
8
12
16
20
1
10
100
0.1
3
30
0.3
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
–40
0
40
80
120
160
0
0.1
0.2
1
5
10
20
50
10
2
5
1
0.5
2 A
1 A
1.0
0.2
0.5
0.1
0.02
0.01
0.05
V = 4 V
I = 5 A
D
V = 4 V
10 V
1, 2 A
1, 2, 5 A
0.5
2
Gate to Source Voltage V (V)
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
V
D
D
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
Case Temperature Tc (
°
C)
R
D
S
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
Drain Current I (A)
F
f
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
Pulse Test
Pulse Test
V = 10 V
Pulse Test
Pulse Test
I = 5 A
10 V
25
°
C
Tc = –25
°
C
75
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SK2858 N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
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參數(shù)描述
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