參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2383
廠商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： Silicon N-Channel Power F-MOS FET
中文描述： 13 A, 500 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TOP3E, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 43K
代理商： 2SK2383
2
Power F-MOS FETs
2SK2383
Area of safe operation (ASO)
P
D
Ta
IAS
L-load
I
D
V
GS
V
th
T
C
V
DS
V
GS
R
DS(on)
I
D
| Y
fs
|
I
D
C
iss
, C
oss
, C
rss
V
DS
1
Drain to source voltage V
DS
(V)
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
Non repetitive pulse
T
C
=25C
I
DP
I
D
t=100
μ
s
1ms
10ms
100ms
DC
D
D
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
20
40
60
80
100
120
(1) T
=Ta
(2) Without heat sink
(P
D
=3W)
(1)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
A
D
0.1
1
0.3
3
10
0.1
100
10
1
0.3
3
30
T
C
=25C
170mJ
L-load (mH)
A
0
Gate to source voltage V
GS
(V)
7
3
1
4
6
2
5
0
2
4
6
8
10
V
DS
=25V
100C
T
C
=150C
25C
0C
D
D
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
=25V
I
D
=1mA
Case temperature T
C
(C)
G
t
0
Gate to source voltage V
GS
(V)
5
10
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
T
C
=25C
I
D
=26A
13A
6.5A
D
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
=10V
T
C
=150C
100C
25C
0C
Drain current I
D
(A)
D
D
)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
DS
=25V
T
C
=25C
150C
T
C
=0C
25C
100C
Drain current I
D
(A)
F
f
|
0
Drain to source voltage V
DS
(V)
40
80
120
160
200
1
10
100
1000
10000
f=1MHz
T
C
=25C
C
iss
C
oss
C
rss
I
R
i
,
o
,
r
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PDF描述
2SK2385 High Speed,High Current Switching Application N Channel MOSFET(高速大電流轉(zhuǎn)換用 N溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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