參數(shù)資料
型號： 2SK2372
廠商： NEC Corp.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Switching N-channel power MOS FET industrial use
中文描述： N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 112K
代理商： 2SK2372
2SK2371/2SK2372
5
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
1.0
Q
g
- Gate Charge (nC)
V
D
T
ch
- Channel Temperature - (C)
R
D
REVERSE RECOVERY TIME vs.
REVERSE DRAIN CURRENT
I
F
- Forward Current - (A)
t
W
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
500
V
G
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V
SD
- Source to Drain Voltage - (V)
I
S
1.5
100
10
1.0
0.1
0.01
1.0
0.5
0
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - (V)
C
i
,
o
,
r
1.0
10
100
1000
I
D
- Drain Current - (A)
t
d
r
,
d
f
100
0.1
10
1.0
SWITCHING CHARACTERISTICS
–50
0
50
100
150
0.5
0
I
D
= 25 A
13 A
V
GS
= 10 V
V
GS
= 0 V
Pulsed
1000
10000
1 000
100
10
1.0
0.1
1.0
10
100
C
iss
C
oss
C
rss
t
r
V
DD
= 150 V
V
GS
= 10 V
R
in
= 10
1.0
10
100
600
500
400
300
200
100
0.1
di/dt = 50 A/ s
V
GS
= 0
0
20
80
40
120
400
300
200
100
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
60
100
V
GS
V
DS
V
DD
= 400 V
250 V
125 V
t
f
t
d (off)
t
d (on)
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
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PDF描述
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