參數(shù)資料
型號(hào): 2SK2358
廠商: NEC Corp.
元件分類: MOSFETs
英文描述: Switching N-channel power MOS FET industrial use
中文描述: N溝道 開關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 工業(yè)級(jí)
文件頁(yè)數(shù): 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 61K
代理商: 2SK2358
2SK2357/2SK2358
4
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
100
10
1
0.1
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
r
t
R
D
3.0
2.0
0
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESITANCE vs. DRAIN CURRENT
1.0
100
I
D
- Drain Current - A
10
V
G
1.0
0
–50
0
50
100
150
T
ch
- Channel Temperature - °C
GATE TO SOURCE CUTOFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
Pulsed
T
C
= 25 °C
Single Pulse
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
100
10
1.0
10
I
I
D
- Drain Current - A
0.1
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
10
20
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
Pulsed
30
0
μ
μ
1.5
1.0
0.5
100
1.0
2.0
3.0
4.0
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 mA
1.0
Ta = –25 °C
25 °C
75 °C
125 °C
V
DS
= 10 V
Pulsed
0.01
R
th(ch-c)
= 3.57 °C/W
R
th(ch-a)
= 62.5 °C/W
I
D
= 3 A
I
D
= 6 A
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