參數(shù)資料
型號(hào): 2SK2358
廠商: NEC Corp.
元件分類: MOSFETs
英文描述: Switching N-channel power MOS FET industrial use
中文描述: N溝道 開(kāi)關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 工業(yè)級(jí)
文件頁(yè)數(shù): 3/8頁(yè)
文件大小: 61K
代理商: 2SK2358
2SK2357/2SK2358
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
40
60
100
120
140
160
20
40
60
80
100
T
c
- Case Temperature - °C
d
0
20
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
20
40
60
80
100
120
140
160
T
c
- Case Temperature - °C
P
T
0
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
0
4
8
12
16
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
10
8
6
2
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
100
10
0.1
10
100
1000
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
0.1
1.0
Powe DsspaionLmted
10ms
R
DS(on
Lmted
(a V
GS
=10V
I
D (DC)
I
D (pulse)
100 s
1ms
T
= 25 °C
Single Pulse
Pulsed
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
0
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
T
a
= –25 °C
25 °C
75 °C
125 °C
Pulsed
10
50
0.05
0.1
I
D
μ
50
40
30
20
10
1
5
10
15
80
100ms
4
6 V
8 V
10 V
V
GS
= 20 V
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