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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2206 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 32K |
| 代理商： | 2SK2206 |
2SK2206
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
*
I
DR
Pch*
30
V
Gate to source voltage
±
20
45
V
Drain current
A
Drain peak current
1
180
A
Body to drain diode reverse drain current
45
A
Channel dissipation
2
35
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
2. Value at Tc = 25
°
C
Tstg
–55 to +150
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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