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2SK2209-01R

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  • 2SK2209-01R
    2SK2209-01R

    2SK2209-01R

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • FUJU

  • TO

  • 07/08+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
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  • 制造商
  • FUJI
  • 制造商全稱
  • Fuji Electric
  • 功能描述
  • Power MOSFET
2SK2209-01R 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK2145-Y(TE85L,F) 功能描述:MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):1.2mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):200mV @ 100nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74A,SOT-753 供應(yīng)商器件封裝:SMV 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2145-GR(TE85L,F 功能描述:MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):2.6mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):200mV @ 100nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74A,SOT-753 供應(yīng)商器件封裝:SMV 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2145-BL(TE85L,F 功能描述:JFET N-CH 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):6mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):200mV @ 100nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74A,SOT-753 供應(yīng)商器件封裝:SMV 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2103T100 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):230pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK209-Y(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH S-MINI FET 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:1kHz 增益:- 電壓 - 測(cè)試:10V 額定電流:- 噪聲系數(shù):1dB 電流 - 測(cè)試:500μA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SC-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK23800QL 2SK2394-6-TB-E 2SK2394-7-TB-E 2SK2420 2SK2463T100 2SK2503TL 2SK2504TL 2SK2507(F) 2SK2544(F) 2SK2593GQL 2SK2593JQL 2SK2624ALS 2SK2625ALS 2SK2632LS 2SK2701A 2SK2713 2SK2715TL 2SK2719(F)
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