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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2126 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
| 中文描述： | 5 A, 500 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220E |
| 封裝： | TO-220E, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 46K |
| 代理商： | 2SK2126 |
2
Power F-MOS FETs
2SK2126
Area of safe operation (ASO)
P
D
Ta
EAS
T
j
I
D
V
DS
I
D
V
GS
V
th
T
C
V
DS
V
GS
R
DS(on)
I
D
| Y
fs
|
I
D
0
Drain to source voltage V
DS
(V)
10
20
30
40
50
60
0
1
2
3
4
5
6
7
8
50W
V
GS
=15V
10V
7V
6V
5.5V
6.5V
5V
D
D
0
1
Drain current I
D
(A)
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
=25V
T
C
=25C
F
f
|
0
1
Drain current I
D
(A)
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
=10V
T
C
=150C
100C
25C
0C
D
D
)
0
Gate to source voltage V
GS
(V)
12
10
8
2
6
4
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
=25V
T
C
=0C
25C
150C
100C
D
D
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
10
20
30
40
50
60
(1) T
=Ta
(2) Without heat sink
(P
D
=2W)
(1)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
A
D
1
Drain to source voltage V
DS
(V)
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
Non repetitive pulse
T
C
=25C
t=100
μ
s
10ms
1ms
DC
I
DP
I
D
D
D
25
50
75
100
125
150
175
0
20
40
60
80
100
120
V
DD
=50V
I
D
=5A
Junction temperature T
j
(C)
A
0
Gate to source voltage V
GS
(V)
5
10
15
20
25
30
0
10
20
30
40
I
D
=10A
2.5A
5A
1.25A
T
C
=25C
D
D
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
=25V
I
D
=1mA
Case temperature T
C
(C)
G
t
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2128 | Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
| 2SK2129 | Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
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| 2SK2130 | Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
| 2SK2145 | N CHANNEL JUNCTION TYPE (AUDIO FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SK2127 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 2SK2128 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
| 2SK2129 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
| 2SK212C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 600NA I(DSS) | SPAK |
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