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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2070 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
| 中文描述： | N溝道場效應(yīng)晶體管的高速開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 59K |
| 代理商： | 2SK2070 |
2SK2070
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
0
30
60
90
120
150
T
A
- Ambient Temperature - C
20
40
60
80
100
d
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
0.5
1
5
10
50
100
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
0.5
1
2
5
10
I
D
0.2
0.1
2
20
DC
1ms
10m
PW=100m
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
I
D
1
3V
V
GS
= 2 V
TRANSFER CHARACTERISTICS
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
0.01
0.1
1
10
I
D
0.001
V
DS
= 10 V
T
A
= 75 C
25 C
–25 C
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
0.001
0.003
0.01
0.1
0.3
1
I
D
- Drain Current - A
0.01
0.1
1
10
|
f
|
0.03
V
DS
= 10 V
T
A
= –25 C
25 C
75 C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
0.7
V
GS
= 4 V
0.01
0.03
1
0.3
3
10
I
D
- Drain Current - A
0.2
0.4
0.5
R
D
0
0.1
0.1
0.3
0.6
T
A
= 75 C
25 C
–25 C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2074 | High-Frequency Low-Noise Amp Applications |
| 2SK2075 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK2076 | Impedance Converter Applications |
| 2SK2083 | Very High-Speed Switching Applications |
| 2SK2084 | Silicon N-Channel MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2070-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK2071-01 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 2SK2071-01L | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:N-channel MOS-FET |
| 2SK2071-01S | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:N-channel MOS-FET |
| 2SK2072-01 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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