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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2007 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | 2SK2007 |
2SK2007
6
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
R
Reverse Drain Current I (A)
di/dt = 100 A/ s
V = 0, Ta = 25
°
C
500
0.5
1
2
5
10
20
50
r200
100
50
20
10
5
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
C
10000
1000
100
1
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
0
10
20
30
40
50
Drain to Source Voltage V (V)
Dynamic Input Characteristics
500
400
300
200
100
0
D
Gate Charge Qg (nc)
G
D
G
20
16
12
8
4
0
I = 20 A
V = 50 V
100 V
200 V
0
20
40
60
80
100
V = 200 V
100 V
50 V
Switching Characteristics
S
Drain Current I (A)
t
t
td
500
200
100
50
20
10
5
0.5
1
2
5
10
20
50
V = 10 V, V =
PW = 5 s, duty 1%
<
f
td
r
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2008 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK2040 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 2SK2045 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK2046 | Very High-Speed Switching Applications |
| 2SK2053 | N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2007-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK2008 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK2008-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK2009 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH APPLICATIONS) |
| 2SK2009(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 3-Pin S-Mini Bulk |
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