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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2007 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | 2SK2007 |
2SK2007
5
Pulse Test
0
4
8
12
16
20
Gate to Source Voltage V (V)
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
D
V
D
5
4
3
2
1
I = 5 A
10 A
20 A
Static Drain to Source On State
Resistance vs. Drain Current
S
R
D
Drain Current I (A)
V = 10 V
15 V
2
5
10
20
50
100
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
5
1
Static Drain to Source On State
Resistance vs. Temperature
S
R
D
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
–40
I = 20 A
0
80
120
Case Temperature Tc (°C)
40
5 A
10 A
160
V = 10V
Pulse Test
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
F
|
Drain Current I (A)
Tc = 25°C
–25°C
100
30
10
3
1
0.3
0.1
75°C
V = 10 V
Pulse Test
0.1
0.3
1
3
10
30
100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2008 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK2040 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 2SK2045 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK2046 | Very High-Speed Switching Applications |
| 2SK2053 | N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2007-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK2008 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK2008-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK2009 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH APPLICATIONS) |
| 2SK2009(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 3-Pin S-Mini Bulk |
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