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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1948 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 54K |
| 代理商： | 2SK1948 |
2SK1948
5
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
4
8
12
16
20
0
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
1
2
3
4
5
I = 10 A
20 A
50 A
Pulse Test
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
2
Drain Current I (A)
0.5
S
R
D
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
0.005
5
10
20
50
100 200
Pulse Test
V = 10 V
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
–40
0
40
80
120
Case Temperature T (°C)
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.2
S
R
D
160
V = 10 V
Pulse Test
I = 50 A
10 A, 20 A
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
0.5
2
10
Drain Current I (A)
100
F
|
50
20
10
5
1
1
5
20
50
V = 10 V
Pulse Test
75°C
Tc = 25°C
2
–25°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1949 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1949L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1949S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1950 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1950L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1949L(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1954 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK1954-Z(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1954-Z-E1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1954-Z-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 180V 4A 650m@10V TO252 Cut Tape |
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