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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1948 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 54K |
| 代理商： | 2SK1948 |
2SK1948
4
Power vs. Temperature Derating
300
200
100
0
50
100
150
Case Temperature Tc (°C)
C
Maximum Safe Operation Area
Drain to Source Voltage V (V)
1
3
10
100
1000
300
D
D
30
300 1000
100
30
10
1
0.3
0.1
Opeaioninthsaea
DCOpeaion(Tc=25°C
inlmtedbyR (on
DS
10 s
100 s
1ms
μ
3
Ta = 25°C
Typical Output Characteristics
Drain to Source Voltage V (V)
0
4
8
12
16
20
20
40
60
80
100
D
D
4 V
8 V
V = 3.5 V
Pulse Test
5.5 V
6 V
10 V
5 V
Typical Transfer Characteristics
2
4
6
8
10
Gate to Source Voltage V (V)
10
20
30
40
50
D
D
Pulse Test
V = 10 V
0
Tc = 25°C
–25°C
75°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1949 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1949L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1949S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1950 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1950L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1949L(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1954 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK1954-Z(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1954-Z-E1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1954-Z-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 180V 4A 650m@10V TO252 Cut Tape |
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