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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1911 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | 2SK1911 |
2SK1911
6
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
R
Reverse Drain Current I (A)
di/dt = 50 A/ s, V = 0
Ta = 25°C
500
1
2
5
10
20
50
100
r200
100
50
20
10
5
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
C
10000
1000
100
10
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
0
10
20
30
40
50
Drain to Source Voltage V (V)
Dynamic Input Characteristics
100
80
60
40
20
D
G
D
G
20
16
12
8
4
0
I = 40 A
V = 50 V
25 V
10 V
0
40
80
120
160
200
V = 50 V
25 V
10 V
Gate Charge Qg (nc)
V
DS
V
GS
Switching Characteristics
S
Drain Current I (A)
td
t
t
d
1000
500
200
100
50
20
10
0.5
1
2
5
10
20
50
V = 10 V, V =
PW = 2 s, duty 1%
:
<
f
r
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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