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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1836 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/9頁(yè) |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | 2SK1836 |
2SK1836, 2SK1837
5
Gate to Source Voltage V (V)
D
0
4
8
12
16
20
1
3
2
4
5
D
Pulse Test
50 A
20 A
I = 10 A
D
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
Drain Current I (A)
S
R
5
10
20
50
100
200
500
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
D
Pulse Test
V = 10, 15 V
GS
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
Case Temperature Tc (°C)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
–40
0
40
80
120
160
S
R
D
Pulse Test
20 A
I = 50 A
D
10 A
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
Drain Current I (A)
F
f
0.5
1
2
5
10
20
50
0.5
1
2
5
10
20
50
Tc = – 25°C
25°C
75°C
V = 20 V
Pulse Test
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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