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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1761 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | 2SK1761 |
2SK1761
7
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
4
8
12
16
Pulse Test
0, – 5 V
V = 10 V
20
Reverse Drain Current vs. Source
to Drain Voltage
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
0.01
0.03
0.1
0.3
1.0
3
Pulse Width PW (S)
N
γ
μ
μ
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1 shot Puse
Tc = 25°C
θ
ch – c(t) = s(t).
ch – c = 1.67°C / W, Tc = 25°C
θ
P
D = T
PW
T
DM
θ
0.01
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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