參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1698
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 29K
代理商： 2SK1698
2SK1698
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
1
I
DR
Pch*
2
100
V
Gate to source voltage
±
20
V
Drain current
0.3
A
Drain peak current
1.2
A
Body to drain diode reverse drain current
0.3
A
Channel dissipation
1
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes
1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1%
2. When using the alumina ceramic board (12.5
×
20
×
0.7 mm)
3. Marking is “FY”.
Tstg
–55 to +150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SK1740 N-Channel Junction Silicon FET for HF amplifiers low frequency amplifiers analog switches(HF放大器，低頻放大器模擬開(kāi)關(guān)應(yīng)用的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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2SK170-BL(F) 制造商:Toshiba 功能描述:Nch -40V 6mA to 14mA TO92 Bulk
2SK170BLF 功能描述:JFET SMALL SIGNAL TRANS PB-F TO-92 JFET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
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