參數(shù)資料
型號： 2SK1667
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大小： 47K
代理商： 2SK1667
2SK1667
6
Source to Drain Voltage V (V)
R
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2
4
6
8
10
D
V = 10 V
GS
V = 0, – 5 V
GS
Pulse Test
Reverse Drain Current vs. Source
to Drain Voltage
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
0.01
0.03
0.1
0.3
1.0
3
Pulse Width PW (S)
N
γ
μ
μ
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1 shot Pulse
Tc = 25°C
θ
ch – c(t) = s(t).
ch – c = 2.5°C / W, Tc = 25°C
θ
P
D = T
PW
T
DM
θ
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
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