參數(shù)資料
型號： 2SK1667
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： 2SK1667
2SK1667
3
80
60
40
20
0
C
50
Case Temperature Tc (°C)
100
150
200
Power vs. Temperature Derating
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
1
3
10
100
300
1000
0.1
0.3
1
3
10
30
100
30
Ta = 25°C
10 s
μ
μ
100 s
1ms
Maximum Safe Operation Area
Operation in this area
is limited by R (on)
Drain to Source Voltage V (V)
D
0
2
4
6
8
10
1
4
8
12
16
20
D
Pulse Test
5.5 V
5 V
4.5 V
10 V
6 V
V = 4 V
Typical Output Characteristics
Gate to Source Voltage V (V)
2
4
6
8
10
0
2
6
8
10
D
D
Tc = 75°C
25°C
– 25°C
V = 10 V
Pulse Test
4
Typical Transfer Characteristics
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PDF描述
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