參數(shù)資料
型號: 2SK1666
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大?。?/td> 46K
代理商: 2SK1666
2SK1666
7
100
0.8
2.0
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
R
D
80
0.4
1.2
1.6
40
60
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
0
20
0, –5 V
4 V
V
GS
= 10 V
3
Pulse Width PW (s)
γ
S
1.0
0.1
0.3
D = 1
10
μ
0.03
0.01
100
μ
10 m
100 m
1
10
1 m
T
C
= 25
°
C
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
T
PW
P
DM
D =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
S
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 2.08
°
C/W, T
C
= 25
°
C
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
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