參數(shù)資料
型號： 2SK1666
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： 2SK1666
2SK1666
4
Power vs. Temperature Derating
60
40
20
0
50
100
150
Case Temperature T
C
(
°
C)
C
500
300
30
3
0.5
1
10
100
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
100
10
1
0.1
0.3
3
30
Ta = 25
10
μ
s
PW=10ms(1ss
100
μ
1ms
DCOpeaion(T
C
=25
°
C
Operation in this area
is limited by
R
DS
(on)
Pulse Test
4.5 V
V
GS
= 3 V
8 V
10 V
3.5 V
5 V
4 V
100
4
10
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
Typical Output Characteristics
80
20
2
6
8
0
40
60
D
D
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
0
1
3
4
5
2
D
D
10
20
30
40
50
Typical Transfer Characteristics
25
°
C
V
= 10 V
Pulse Test
75
°
C
T
C
= –25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK1667 Silicon N-Channel MOS FET
2SK1668 Silicon N-Channel MOS FET
2SK1669 Silicon N-Channel MOS FET
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參數(shù)描述
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