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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1302 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | 2SK1302 |
2SK1302
6
1000
200
100
50
20
10
0.5
1.0
Reverse Drain Current I
DR
(A)
5
50
10
2
20
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
R
500
di/dt = 50 A/
μ
s, Ta = 25°C
V
= 0
Pulse Test
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
10000
1000
100
10
C
0
10
20
50
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
30
40
V
= 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
V
DS
V
GS
V
DD
= 25 V
50 V
80 V
I
D
= 20 A
V
DD
= 80 V
50 V
25 V
100
80
60
40
20
0
20
60
80
Gate Charge Qg (nc)
40
20
16
12
8
4
Dynamic Input Characteristics
D
D
G
G
100
0
Switching Characteristics
1000
500
200
100
20
10
0.5
1.0
5
50
Drain Current I
D
(A)
10
2
20
S
50
t
d
(off)
t
d (on)
t
f
t
r
V
= 10 V V
= 30 V
PW = 2
μ
s, duty < 1 %
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1303 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1304 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1305 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1306 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1307 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1302-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK1303 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1303(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1303-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK1304 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
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