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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1302 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | 2SK1302 |
2SK1302
5
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
6
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
8
4
2
0
10
0.8
1.2
1.6
2.0
0.4
D
V
D
(
Pulse Test
I
D
= 20 A
10 A
5 A
20
Drain Current I
D
(A)
50
10
5
200
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
2
0.01
0.005
100
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
S
R
D
(
)
V
GS
= 4 V
10 V
Pulse Test
80
Case Temperature T
C
(°C)
120
40
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
–40
0
160
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
S
R
D
(
)
I
D
= 20 A
Pulse Test
V
GS
= 4 V
V
GS
= 10 V
10 A
20 A
5 A, 10 A
5 A
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
50
20
10
5
2
1
0.2
0.5
1.0
2
5
20
Drain Current I
D
(A)
10
F
y
0.5
V
DS
= 10 V
Pulse Test
–25°C
T
C
= 25°C
75°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1303 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1304 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1305 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1306 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1307 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1302-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK1303 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1303(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1303-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK1304 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
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