參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1299
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： 2SK1299
2SK1299(L), 2SK1299(S)
4
50
100
0
Case Temperature T
C
(°C)
150
10
C
Power vs. Temperature Derating
20
30
Maximum Safe Operation Area
D
D
500
100
20
5
2
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
50
10
5
2
0.2
1
20
1
0.5
0.1
0.05
200
100
μ
1ms
Ta = 25°C
10
μ
s
Operation in this area
is limited by R
DS (on)
=25C
(T
C
PW=10ms(1Sho)
10
50
1000
Typical Output Characteristics
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
10
8
6
4
2
10
8
6
4
2
0
V
GS
= 2.5 V
Pulse Test
5 V
3 V
3.5 V
10 V
4.5 V
4 V
Typical Transfer Characteristics
3
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
4
2
1
0
5
1
2
3
4
5
D
D
V
DS
= 10 V
Pulse Test
25°C
75°C
T
C
= –25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK1299L Silicon N-Channel MOS FET
2SK1299S Silicon N-Channel MOS FET
2SK1300 Silicon N-Channel MOS FET
2SK1301 Silicon N-Channel MOS FET
2SK1302 Silicon N-Channel MOS FET
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參數(shù)描述
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2SK1299S 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET
2SK1300 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET
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