參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1298
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 48K
代理商： 2SK1298
2SK1298
6
500
200
100
50
20
10
5
0.5
1.0
Reverse Drain Current I
DR
(A)
5
50
10
2
20
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
R
di/dt = 50 A/
μ
s, Ta = 25
°
C
V
= 0
Pulse Test
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
10000
1000
100
10
C
0
10
20
50
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
30
40
V
GS
= 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
100
80
60
40
20
0
40
120
160
Gate Charge Qg (nc)
80
20
16
12
8
4
Dynamic Input Characteristics
D
D
G
G
200
0
V
DS
V
GS
V
DD
= 10 V
25 V
50 V
I
D
= 40 A
V
DD
= 10 V
25 V
50 V
Switching Characteristics
1000
500
200
100
20
10
0.5
1.0
5
50
Drain Current I
D
(A)
10
2
20
S
50
t
d
(off)
t
f
V
= 10 V V
= 30 V
PW = 2
μ
s, duty < 1 %
t
d (on)
t
r
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