參數(shù)資料
型號： 2SK1298
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： 2SK1298
2SK1298
5
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
6
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
8
4
2
0
10
0.8
1.2
1.6
2.0
0.4
D
V
D
(
Pulse Test
I
D
= 50 A
20 A
10 A
20
Drain Current I
D
(A)
50
10
5
200
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
2
0.01
0.005
100
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
S
R
D
(
)
V
GS
= 4 V
10 V
Pulse Test
80
Case Temperature T
C
(
°
C)
120
40
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
–40
0
160
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
S
R
D
(
)
I
= 50 A
10 A, 20 A
Pulse Test
V
GS
= 4 V
V
GS
= 10 V
10 A, 20 A
50 A
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
50
20
10
5
2
1.0
0.5
1.0
2
5
10
50
Drain Current I
D
(A)
20
F
y
T
C
= 25
°
C
75
°
C
V
DS
= 10 V
Pulse Test
–25
°
C
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PDF描述
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