參數(shù)資料
型號： 2SK1254
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應晶體管
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： 2SK1254
2SK1254(L), 2SK1254(S)
7
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
5
4
3
2
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
R
D
Pulse Test
10 V
15 V
V
GS
= 0, –5 V
3
1.0
0.1
0.03
0.01
0.3
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width PW (s)
0.05
0.02
0.2
0.1
0.5
D = 1
θ
ch–c (t) =
γ
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 6.25°C/W, T
C
= 25°C
P
DM
PW
T
D =
T
PW
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
N
γ
S
T
C
= 25°C
0.01
Vin Monitor
Vout Monitor
R
L
50
Vin = 10 V
D.U.T
V
= 30 V
.
Switching Time Test Circuit
Vin
10 %
90 %
90 %
90 %
tr
10 %
td (on)
td (off)
tf
Vout
10 %
Wavewforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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