參數(shù)資料
型號： 2SK1254
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： 2SK1254
2SK1254(L), 2SK1254(S)
5
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
2
4
6
8
10
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
3 A
2 A
I
D
= 1 A
PulseTest
D
V
D
5
2
1.0
0.5
0.05
0.5
1.0
2.0
5.0
20
Drain Current I
D
(A)
0.2
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
10
0.2
0.1
Pulse Test
S
R
D
)
10 V
V
GS
= 4 V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature T
C
(°C)
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
Pulse Test
1, 2 A
I
D
= 3 A
1, 2 A
3 A
V
GS
= 4 V
V
GS
= 10 V
S
R
D
)
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
10
5
2
1.0
0.1
0.2
Drain Current I
D
(A)
5
0.2
0.5
0.5
F
y
1.0
2
0.05
0.1
–25°C
T
C
= 25°C
75°C
V
= 10 V
Pulse Test
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PDF描述
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