參數(shù)資料
型號： 2SK1056
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應晶體管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 40K
代理商： 2SK1056
2SK1056, 2SK1057, 2SK1058
5
Drain to Source Saturation
Voltage vs. Drain Current
1.0
Drain Current I
D
(A)
2
0.5
0.2
5
1.0
2
5
10
0.1
0.5
D
V
D
(
0.2
0.1
10
T
C
=–25
°
C
25
°
C 75
°
C
V
GD
= 0
Drain to Source Voltage vs.
Gate to Source Voltage
6
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
8
4
2
0
10
4
6
8
10
2
D
D
I
D
= 1 A
5A
T
C
= 25°C
2A
Input Capacitance vs. Gate
Source Voltage
1000
500
200
100
I
0
–2
–4
–10
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
–6
–8
V
= 10 V
f = 1 MHz
Forward Transfer Admittance
vs. Frequency
3.0
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
0.003
10 k
30 k 100 k
300 k 1 M
10 M
Frequency f (Hz)
3 M
F
T
C
= 25°C
V
DS
= 10 V
I
D
= 2 A
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PDF描述
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