參數(shù)資料
型號: 2SK1057
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 硅N溝道場效應晶體管
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大?。?/td> 40K
代理商: 2SK1057
2SK1056, 2SK1057, 2SK1058
Silicon N-Channel MOS FET
Application
Low frequency power amplifier
Complementary pair with 2SJ160, 2SJ161 and 2SJ162
Features
Good frequency characteristic
High speed switching
Wide area of safe operation
Enhancement-mode
Good complementary characteristics
Equipped with gate protection diodes
Suitable for audio power amplifier
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK1058 Silicon N-Channel MOS FET
2SK0601(2SK601) 小信號デバイス - 小信號FET - MOS FET
2SK0614(2SK614) Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK0615(2SK615) 小信號デバイス - 小信號FET - MOS FET
2SK0620 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK1057-E 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 140V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube Tray 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Nch MOSFET,140V,7A,TO-3P 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 140V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
2SK1058 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 160V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
2SK1058-E 功能描述:MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK1059 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SK1059-Z(AZ) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Bulk