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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK0665(2SK665) |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 2SK0665（2SK665） - N溝道場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大小： | 195K |
| 代理商： | 2SK0665(2SK665) |
2002 JUL
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1065 | High-Frequency General-Purpose Amp Applications |
| 2SK1093 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1094 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1095 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1177 | MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK0665G0L | 功能描述:MOSFET N-CH 20V .1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK1001(T1B-A) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SK1004 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-3VAR |
| 2SK1005 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-3VAR |
| 2SK1006 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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