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參數資料
| 型號： | 2SK0665(2SK665) |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 2SK0665（2SK665） - N溝道場效應晶體管 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 195K |
| 代理商： | 2SK0665(2SK665) |
MOSFET (
)
1
: 200
28
SJF00018BJD
2SK0601
(2SK601)
N
MOS
I
CMOS, TTL
R
DS(on)
I
T
a
=
25
°
C
Unit : mm
1
:
Gate
2
:
Drain
3
:
Source
MiniP3-F1 Package
I
T
a
=
25
°
C
I
DSS
V
DS
=
60
V, V
GS
=
0
V
GS
=
20
V, V
DS
=
0
I
DS
=
100
μ
A, V
GS
=
0
I
D
=
1 mA, V
DS
=
V
GS
I
D
=
0.5 A, V
GS
=
10 V
I
D
=
0.2 A, V
DS
=
15 V, f
=
1 kHz
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1 MHz
10
μ
A
μ
A
I
GSS
V
DSS
V
th
0.1
80
V
1.5
3.5
V
*1
R
DS(on)
Y
fs
C
iss
2
4
300
mS
(
)
45
pF
(
)
C
oss
C
rss
t
on
30
pF
(
)
8
pF
*2
*2
15
ns
t
off
20
ns
V
DS
V
GSO
I
D
80
V
20
V
±
0.5
±
1
A
I
DP
P
D
T
ch
A
*
1
W
150
°
C
°
C
T
stg
55
～ +
150
) *1 :
*2 : t
on
, t
off
: O
) * :
:
1 cm
2
,
1.7 mm
)
( )
,
V
in
=
10 V
t
=
1
μ
S
f
=
1 MHz
50
68
t
on
t
off
V
in
10%
90%
10%
90%
V
out
V
in
V
out
V
DD
=
30 V
V
out
4.5
±0.1
1.6
±0.2
3.0
±0.15
45
°
2
±
0
1.5
±0.1
4
2
±
3
°
+
–
1
+
–
0.5
±0.08
0.4
±0.04
0.4
±0.08
1
2
3
1.5
±0.1
3
°
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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