型號(hào): | 2SK0663(2SK663) |
英文描述: | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
中文描述: | 小信號(hào)裝置-小信號(hào)場(chǎng)效應(yīng)管-結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管 |
文件頁數(shù): | 1/3頁 |
文件大小: | 195K |
代理商: | 2SK0663(2SK663) |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SK0664(2SK664) | 小信號(hào)デバイス - 小信號(hào)FET - MOS FET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SK0663GRL | 功能描述:JFET N-CH 55V 30MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET(結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān))@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS(開):200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
2SK0664 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Switching |
2SK0664(2SK664) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:小信號(hào)デバイス - 小信號(hào)FET - MOS FET |
2SK066400L | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
2SK0664G0L | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |